高能冲击磁控溅射等离子体发生与成膜控制平台（HiPIMS）

2018-01-16 11:46:31

仪器名称	高能冲击磁控溅射等离子体发生与成膜控制平台	仪器型号	HiPIMS
所属单位	力学研究所	所属区域中心
制造商名称	研制	国别	中国
购置时间	2014/10/16	放置地点	2号楼213
预约审核人		操作人员	李光
仪器工作状态	正常	预约形式	可不预约
预约类型	时间预约
仪器大类	工艺实验设备	仪器中类	工艺实验设备	仪器小类	材料工艺实验设备
仪器主要功能及描述	高能冲击磁控溅射（HiPIMS）等离子体发生与成膜控制平台，将国际上新出现HiPIMS与等离子体基离子注入沉积方法相结合，采用前者获得淹没性的高离化率金属等离子体，通过溅射脉冲和高压脉冲的波形匹配实现参与成膜粒子能量可控，形成一种新颖的成膜过程控制技术。利用HiPIMS技术，金属Ti的离化率可达80%。粒子能量超过100eV，通过调整高、低磁控电压脉冲的脉宽比例，HiPIMS耦合电源还可实现对离化率的有效调控。该平台可开展多元及复杂体系涂层表面改性的应用研究。1）利用高能冲击磁控源，可以实现众多金属（含碳）元素的离子注入，可以在高精尖零件的摩擦磨损、表面防腐蚀等领域开展研究。2）针对目前我国严重依赖进口高端镀膜刀具，可开展TiN、TiAlSiN和TiCN等高质量薄膜的表面改性工业化应用研究。3）可在等离子复合表面改性方法、材料的复合表面改性等领域开展大量的研究，针对表面改性膜层服役性能问题，开展膜基界面领域的研究工作。
备注